سیلیکون تک بلوری به طور کلی با روش Czochralski (روش CZ) در اکتساب اجزاء به دست می آید. پنل های خورشیدی فتوولتائیک . کریستال دانه تک کریستال با جهت کریستالی خاص برای بذرکاری استفاده می شود و سیلیکون تک کریستال جهت کریستال هدف با چرخش و کشیدن به دست می آید. محصول به‌دست‌آمده حاوی تنها یک دانه کریستال است و دارای ویژگی‌های عیب کم و راندمان تبدیل بالا است. در حال حاضر راندمان تبدیل تولید در مقیاس بزرگ سلول های سیلیکونی تک کریستالی به 18 درصد رسیده است، اما این روش دارای الزامات بالایی برای مواد اولیه و عملیات است و دارای تغذیه تکی کمتر، هزینه محصول بالا و تضعیف سلول های خورشیدی بزرگ است.

سیلیکون پلی کریستالی عمدتاً با روش انجماد جهت دار تولید می شود. دارای ویژگی های مقدار زیاد تغذیه تک، عملیات آسان و هزینه کم است. تضعیف سلول بسیار کمتر از ویفر سیلیکونی تک کریستالی است. اغلب حاوی تعداد زیادی مرز دانه و نقص است، که باعث می شود بازده تبدیل سلول های خورشیدی سیلیکونی پلی کریستالی حدود 1.5٪ تا 2٪ کمتر از سلول های سیلیکونی تک کریستالی باشد.

هسته فناوری شبه محصول تک، فناوری شمش تک کریستال است. محصولات مشابه تک کریستال یا حتی تک کریستال کامل تولید شده توسط فرآیند ریخته گری شمش، مزایای سیلیکون تک کریستال و سیلیکون پلی کریستال را ترکیب می کنند. ویفرهای سیلیکونی شبه تک بلوری در مقایسه با ویفرهای سیلیکونی چند کریستالی، دارای مرزهای دانه کمتر و چگالی نابجایی کم هستند: راندمان تبدیل سلول‌های خورشیدی به 17.5 درصد می‌رسد. در مقایسه با ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی، تضعیف سلول های شبه تک کریستالی ناشی از نور حدود 1/4 ~ 1/2 کمتر است.

راندمان بالا، فرآیند برش ساده و هزینه کم.

کنترل جهت کریستال، چگالی جابجایی، غلظت کربن و اکسیژن، و توزیع ناخالصی ویفر سیلیکونی، و همچنین مشکلات جانبی، مستقیماً بر کارایی سلول تأثیر می گذارد. محصولات شبه تک کریستالی متفاوت از پلی کریستال های معمولی، برای فرآیند بافت قلیایی مناسب تر هستند و یک سطح بافت هرمی معکوس را تشکیل می دهند که می تواند به طور قابل توجهی کارایی سلول های نهایی را بهبود بخشد.

شبه تک کریستال نه تنها یک راه عملی برای ویفرهای سیلیکونی با راندمان بالا است، بلکه راهی برای کاهش هزینه ها برای ریخته گری شمش است. اما بدون عیب نیست.